按照制造技術(shù)的不同，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可劃分為集成電路、分立器件、其他器件等多類產(chǎn)品，其中分立器件是指具有單一功能的電路基本元件，主要實(shí)現(xiàn)電能的處理與變換，而半導(dǎo)體功率器件是分立器件的重要部分。目前，我國分立器件中低端產(chǎn)品基本實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，MOSFET、IGBT、新材料寬禁帶器件等依然依賴進(jìn)口。

一、分立器件新產(chǎn)品不斷面世

分立器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品；其中，MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，相比于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關(guān)器件，具有易于驅(qū)動、開關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)。

在分立器件發(fā)展過程中，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展；20世紀(jì)70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來；20世紀(jì)80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導(dǎo)體功率器件正式進(jìn)入電子應(yīng)用時代；20世紀(jì)90年代，超結(jié)MOSFET逐步出現(xiàn)，打破傳統(tǒng)“硅限”以滿足大功率和高頻化的應(yīng)用需求；2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET，半導(dǎo)體功率器件的性能進(jìn)一步提升。

當(dāng)前半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革，其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的新材料半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而受到行業(yè)關(guān)注，有望成為新型的半導(dǎo)體材料。SiC、GaN等半導(dǎo)體材料屬于新興領(lǐng)域，具有極強(qiáng)的應(yīng)用戰(zhàn)略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺灣等地區(qū)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導(dǎo)體功率器件的量產(chǎn)。

對國內(nèi)市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的先進(jìn)性，還較大程度上依賴進(jìn)口，未來進(jìn)口替代空間巨大。不過，國內(nèi)行業(yè)內(nèi)企業(yè)通過多年的技術(shù)和資本積累，依托國家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)扶持，也已開始布局新型半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。

二、行業(yè)產(chǎn)銷規(guī)模持續(xù)、快速增長

半導(dǎo)體分立器件是電力電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)之一，也是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一，主要用于電力電子設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等，具有應(yīng)用范圍廣、用量大等特點(diǎn)，在消費(fèi)電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業(yè)及自動控制、計(jì)算機(jī)及周邊設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊等眾多國民經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用。從細(xì)分市場來看，半導(dǎo)體分立器件受益于智能制造、電力改造、電子通訊升級、互聯(lián)網(wǎng)等普及的趨勢，其市場也逐步向高端推進(jìn)。近年來，受益于國際電子制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，以及下游行業(yè)需求的拉動，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)保持了較快的發(fā)展態(tài)勢。

據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局規(guī)模以上工業(yè)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，近幾年來，分立器件行業(yè)規(guī)模以上企業(yè)主營業(yè)務(wù)收入占半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模以上企業(yè)主營業(yè)務(wù)收入的比重維持在22%-25%之間。

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2017年，我國半導(dǎo)體分立器件全年銷售規(guī)模已達(dá)2473.9億元，較2016年增長10.60%。據(jù)前瞻測算，2018年全年，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)銷售額達(dá)到2669.3億元。

下游市場需求直接拉動了半導(dǎo)體分立器件的生產(chǎn)規(guī)模。改革開放以來，特別是進(jìn)入21世紀(jì)后，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)內(nèi)企業(yè)不斷增加，分立器件的產(chǎn)量隨之攀升；2011年，我國半導(dǎo)體分立器件的整體生產(chǎn)規(guī)模為4134.1億只，至2017年增長至7301.5億只，年均復(fù)合增長率達(dá)到9.94%。據(jù)前瞻測算，2018年全年，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)生產(chǎn)規(guī)模達(dá)到7754.9億只。

近年來新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等新興應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒊蔀閲鴥?nèi)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的持續(xù)增長點(diǎn)，行業(yè)呈現(xiàn)良好的發(fā)展態(tài)勢。國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)、先進(jìn)設(shè)備方面進(jìn)行了大量投資，緊跟國際先進(jìn)企業(yè)的技術(shù)發(fā)展，并向中高端產(chǎn)品領(lǐng)域滲透。從市場需求來看，2011年至2017年國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件市場需求保持了13.11%的年均復(fù)合增長；2017年國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件市場需求達(dá)到2,458.1億元，同比2016年的2218.2億元增長率達(dá)到10.80%，繼續(xù)保持著高速增長趨勢。其中，半導(dǎo)體功率器件仍是帶動中國半導(dǎo)體分立器件市場加速增長的主要動力。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會預(yù)測，2018年中國半導(dǎo)體分立器件市場需求將達(dá)到2673.1億元，到2020年分立器件的市場需求將達(dá)到3103.5億元。

從中長期來看，隨著"中國制造2025"、"互聯(lián)網(wǎng)+"等行動指導(dǎo)意見以及"國家大數(shù)據(jù)戰(zhàn)略"相繼組織實(shí)施，國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件市場將迎來更廣闊的前景。

三、高端產(chǎn)品依賴進(jìn)口，中低端產(chǎn)品基本實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)源于歐美，日韓及中國臺灣在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移中亦建立了先進(jìn)的半導(dǎo)體工業(yè)體系。中國半導(dǎo)體起步晚、追趕難度較大。近年來，我國高度重視半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，不斷出臺多項(xiàng)鼓勵政策大力扶持包括分立器件在內(nèi)的半導(dǎo)體行業(yè)。隨著國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件廠商逐步參與到國際市場的供應(yīng)體系，以及下游行業(yè)大力創(chuàng)新對上游分立器件行業(yè)的驅(qū)動，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已獲得長足發(fā)展，并逐步形成對國外產(chǎn)品的替代。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計(jì)，2010年至2014年中國半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品進(jìn)口額基本保持增長趨勢，2014年進(jìn)口額達(dá)313.8億美元。2017年中國半導(dǎo)體分立器件進(jìn)口金額為281.8億美元，相較于2014年進(jìn)口額下降了10.20%。

在國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件市場需求迅速擴(kuò)大的態(tài)勢下，我國對半導(dǎo)體分立器件的進(jìn)口數(shù)量和進(jìn)口金額均呈現(xiàn)下降趨勢。近年來，我國半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的產(chǎn)銷規(guī)模不斷擴(kuò)大，對國外產(chǎn)品的進(jìn)口替代效應(yīng)不斷凸顯。未來，隨著國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件行業(yè)逐步突破高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，我國半導(dǎo)體分立器件對進(jìn)口的依賴將會進(jìn)一步減弱，進(jìn)口替代效應(yīng)將顯著增加。

以上數(shù)據(jù)及分析均來自于前瞻產(chǎn)業(yè)研究院《中國半導(dǎo)體分立器件制造行業(yè)發(fā)展前景與投資預(yù)測分析報告》。

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